庐山索道将检修30天

4F Square 架构全球首产：消息称三星突破 10 纳米 DRAM 瓶颈_蜘蛛资讯网

置于 2F×2F 的面积内，能在相同芯片面积下将单元密度提升约 30% 至 50%。新技术面临的主要挑战是材料变革。通道材料为降低漏电流并提升数据保持能力，已从硅转变为铟镓锌氧化物（IGZO）。此外，三星原计划用钼（Mo）替代氮化钛（TiN）作为字线材料（指用于制作存储器中字线的导电材料），但因钼具有腐蚀性且固态处理困难，需对气体输送系统进行改造，目前该材料仍在评估中。广告声明：文内含有的对外跳转

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发布时间：00:35:19